확산, LPCVD
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저압 CVD(LPCVD)는 표면에서 반응 및/또는 분해되는 접착 기면을 하나 이상의 휘발성 전구물에 노출시켜 박막을 증착하는 데 사용하는 기술 중 하나입니다. LPCVD 응용은 일반적으로 폴리 실리콘 박막, 절연 산화물 또는 부동층을 생성하는 반도체 제조에서 사용됩니다.
확산은 웨이퍼 표면의 산화 및 질화 또는 도핑층의 전기적 특성을 변경하기 위해 사용되는 열 공정입니다.
응용 분야 요구 사항
시간이 지나면서 진공 성능이 안정화되어 산출량 최적화
높은 견고성: 응축 관리, 분말 처리
낮은 운영 비용으로 높은 공정 수명: 낮은 전력 소비량, 낮은 수리 비
다단계 루츠 펌프 - A4 系列
어떻게 작동합니까?
LPCVD 및 확산 기술 모두 일반적으로 500~900°C 범위에서 화학 반응을 활성화하기 위해 열 에너지를 사용합니다. 우수한 단계 적용 범위 및 고순도 증착 외에, 이 기술을 통해 다른 CVD 기술보다 훨씬 더 큰 접착 기면 처리가 가능합니다. LPCVD 또는 확산 장비는 일반적으로 배치 유형으로, 동시에 최대 200개의 웨이퍼를 처리합니다.
V진공 요구 사항
증착 재료에 따라 여러 전구물을 사용하여 건식 진공 펌프를 통해 매우 다양한 부산물을 처리할 수 있습니다. 응축 가능하거나 고체인 일부 응용 분야에서는 동시에 둘 다 결합됩니다.
제품 포트폴리오
배치로에서 처리되는 웨이퍼의 수를 고려하면, 건식 펌프의 경고성 및 공정 수명이 생산 처리량을 보장하는 데 있어서 중요합니다. A4는 이러한 과제를 충족하기에 완벽하게 일치하는 시리즈입니다.
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