PECVD, SACVD

CVD 또는 화학 기상 증착은 표면에서 반응 및/또는 분해되는 접착 기면을 하나 이상의 휘발성 전구물에 노출시켜 박막을 증착하는 데 사용하는 기술입니다. 플라즈마(PECVD용) 또는 온도(SACVD용)가 화학 반응 속도를 향상시키기 위해 사용됩니다

응용 분야 요구 사항

  • 600~3,000m3/h의 광범위한 펌핑 용량

  • 진공 성능이 시간이 지나면서 안정되어 산출량 최적화

  • 고온 작동에 따른 응축 관리

  • 저온 작동에 따른 전구물 열 안정성

  • 고급 코팅 기술에 따른 내부식성

  • 분말 처리 용량

  • 낮은 운영 비용으로 높은 공정 수명: 낮은 전력 소비량, 낮은 수리 비용

Pfeiffer Vacuum A4 series

다단계 루츠 펌프 - A4 系列

어떻게 작동합니까?

PECVD 공정을 통해 장치에 중요한 접착 기면 온도를 줄일 수 있지만, SACVD는 높은 증착 속도를 위해 고온 및 고압에서 사용됩니다. PVD 기술보다 단계 적용 범위가 넓어진 PECVD 및 SACVD는 주로 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 로우-K와 같은 전기 구조물을 격리하고 보호하는 임계 절연 유전층을 증착하는 데 사용됩니다.

진공 요구 사항

고밀도 플라즈마 증착(HDPCVD)을 제외하고 대부분의 공정은 mbar 압력 범위의 기본 진공에서 작동됩니다. 화학 반응이 챔버에서 일어날 때 전구물이 반응하여 진공 펌프로 배기되는 부산물을 형성합니다. 이런 부산물은 그 특성이 사용된 전구물의 유형에 따라 다를 수 있기 때문에 일반적으로 건식 펌프에 커다란 문제가 됩니다. 부식성이나 응축성이 높거나 고체인 일부 응용 분야에는 이러한 모든 것이 동시에 결합됩니다.

제품 포트폴리오

파이퍼 베큠은 이런 문제를 처리하기 위해 설계된 전체 범위의 건식 펌프를 공급하고 있습니다. 정교한 열 관리가 증착을 방지하고, 고급 재료가 부식 속도를 늦추고, 다단계 루츠 설계가 분말 배기를 관리합니다.