ALD (Atomic Layer Deposition)
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随着芯片节点尺寸的不断缩小，传统沉积技术已达到其极限。在纳米级上沉积超薄层需要原子层沉积 (ALD) 技术，该技术可使材料一次沉积一个原子层。
这项技术用于沉积各种氧化物、氮化物或金属，从而能够制造先进的设备，包括各种对厚度一致性和均匀性要求严格的 3D 架构。
应用要求
1,800 至 4,500 m3/h 的高抽气能力
真空性能长时间保持稳定，助于优化产出
高温运行实现冷凝管理
低温运行实现前体热稳定性
先进涂层技术抵抗腐蚀
粉末处理能力
高工艺寿命、低运营成本：低功耗、低维修成本
多级罗茨泵 - A4 系列
它是如何工作的？
ALD 沉积循环包括在反应器中顺序注入前体和反应物。化学反应能量由温度（热 ALD）或等离子体 (PE ALD) 激活。 在每个脉冲之间将注入氮气吹扫，以排出前体表面上吸附形成的副产物，以及未反应的前体和反应物。 由于反应本质上是自限的，因此膜厚度仅取决于所执行的沉积循环数，从而可以在原子尺度上控制沉积层。 ALD 工艺可以在单个晶圆或批处理设备上执行，每种设备都有其独特的优势。
真空要求
大部分 ALD 工艺均在主真空下运行，压力范围处于 10-1 至 5 mbar 之间。在大批量生产设备上，需要范围为 1,800 至 4,500 m3/h 的高抽气能力，以在吹扫步骤中快速抽空前体，从而确保高吞吐量。在较小型的研发设备上，可以使用性能在 600 至 1,200 m3/h 之间的较小型干泵。对于干泵，产生的副产物通常是一个巨大的挑战，因为它们的性质可能会因所使用的前体类型而异：高腐蚀性、冷凝性或固体物质，某些应用甚至同时涉及全部此类物质。
产品系列
普发真空提供了 A4 & ADH 全系列干泵，以应对这些挑战：精巧的热管理可防止沉积、先进的材料可降低腐蚀速率、多级罗茨泵设计可管理粉末排空。
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