PECVD, SACVD
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CVD，亦即化学气相沉积，是一种薄膜沉积技术，通过将基材暴露于一种或多种在表面上反应和/或分解的挥发性前体实现。等离子体（用于 PECVD）或温度（用于 SACVD）可提高化学反应速率。
应用要求
600 至 3,000 m3/h 的大范围抽气能力
真空性能长时间保持稳定，助于优化产出
高温运行实现冷凝管理
低温运行实现前体热稳定性
先进涂层技术抵抗腐蚀
粉末处理能力
高工艺寿命、低运营成本：低功耗、低维修成本
多级罗茨泵 - A4 系列
它是如何工作的？
PECVD 工艺可降低对器件影响重大的衬底温度，而高温高压下的 SACVD 则可实现高沉积速率。PECVD 和 SACVD 具有比 PVD 技术更好的阶梯覆盖能力，主要用于沉积隔离和保护电气结构的关键绝缘介电层，例如氧化硅、氮化硅和低 K 层。
真空要求
除高密度等离子体沉积 (HDPCVD) 以外，大多数工艺都在 mbar 压力范围内的主真空下进行。 当化学反应在腔室内发生时，前体反应会形成副产物，由真空泵抽空。对于干泵，此类副产物通常是一个巨大的挑战，因为它们的性质可能会因所使用的前体类型而异：高腐蚀性、冷凝性或固体物质，某些应用甚至同时涉及上述全部性质的物质。
产品系列
普发真空提供全系列干式泵，以应对这些挑战：精巧的热管理可防止沉积、先进的材料可降低腐蚀速率、多级罗茨泵设计可管理粉末排空。
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