沉积,LPCVD

低压CVD (LPCVD) 是一种薄膜沉积技术,通过将基材暴露于一种或多种在表面上反应和/或分解的挥发性前体实现。 LPCVD 通常应用于半导体制造中,以形成多晶硅薄膜、绝缘氧化层或钝化层。

扩散是一种热处理工艺,用于氧化和氮化晶圆表面,或改变掺杂层的电气性能。

应用要求

  • 真空性能长时间保持稳定,助于优化产出
  • 高坚固性、冷凝管理、粉末处理
  • 高工艺寿命、低运营成本:低功耗、低维修成本

它是如何工作的?
LPCVD 和扩散技术均使用热能来激活化学反应,通常温度范围为 500 至 900 °C。 除了出色的阶梯覆盖能力和高纯度沉积之外,相对于其他 CVD 技术,该技术还可处理尺寸大得多的基板表面。LPCVD 或扩散设备通常为批处理型,可同时处理多达 200 个晶片。

真空要求
根据要沉积的材料,可以使用多种前体,从而产生多种须由干式真空泵处理的副产物:冷凝性或固态,某些应用还同时涉及两者。

产品系列
考虑到在批量炉中处理的晶圆数量,干泵的坚固性和工艺寿命对于确保生产吞吐量至关重要。A4 系列是应对这些挑战的完美适配产品。

主要产品

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