ALD (Atomic Layer Deposition)

随着芯片节点尺寸的不断缩小,传统沉积技术已达到其极限。在纳米级上沉积超薄层需要原子层沉积 (ALD) 技术,该技术可使材料一次沉积一个原子层。 这项技术用于沉积各种氧化物、氮化物或金属,从而能够制造最先进的设备,包括各种对厚度一致性和均匀性要求严格的 3D 架构。

应用要求

  • 1,800 至 4,500 m3/h 的高抽气能力
  • 真空性能长时间保持稳定,助于优化产出
  • 高温运行实现冷凝管理
  • 低温运行实现前体热稳定性
  • 先进涂层技术抵抗腐蚀
  • 粉末处理能力
  • 高工艺寿命、低运营成本:低功耗、低维修成本

它是如何工作的?
ALD 沉积循环包括在反应器中顺序注入前体和反应物。化学反应能量由温度(热 ALD)或等离子体 (PE ALD) 激活。 在每个脉冲之间将注入氮气吹扫,以排出前体表面上吸附形成的副产物,以及未反应的前体和反应物。 由于反应本质上是自限的,因此膜厚度仅取决于所执行的沉积循环数,从而可以在原子尺度上控制沉积层。 ALD 工艺可以在单个晶圆或批处理设备上执行,每种设备都有其独特的优势。

真空要求
大部分 ALD 工艺均在主真空下运行,压力范围处于 10-1 至 5 mbar 之间。在大批量生产设备上,需要范围为 1,800 至 4,500 m3/h 的高抽气能力,以在吹扫步骤中快速抽空前体,从而确保高吞吐量。在较小型的研发设备上,可以使用性能在 600 至 1,200 m3/h 之间的较小型干泵。对于干泵,产生的副产物通常是一个巨大的挑战,因为它们的性质可能会因所使用的前体类型而异:高腐蚀性、冷凝性或固体物质,某些应用甚至同时涉及全部此类物质。

产品系列
普发真空提供了 A4 & ADH 全系列干泵,以应对这些挑战:精巧的热管理可防止沉积、先进的材料可降低腐蚀速率、多级罗茨泵设计可管理粉末排空。

主要产品

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