PECVD, SACVD

CVD,亦即化学气相沉积,是一种薄膜沉积技术,通过将基材暴露于一种或多种在表面上反应和/或分解的挥发性前体实现。等离子体(用于 PECVD)或温度(用于 SACVD)可提高化学反应速率。

应用要求

  • 600 至 3,000 m3/h 的大范围抽气能力
  • 真空性能长时间保持稳定,助于优化产出
  • 高温运行实现冷凝管理
  • 低温运行实现前体热稳定性
  • 先进涂层技术抵抗腐蚀
  • 粉末处理能力
  • 高工艺寿命、低运营成本:低功耗、低维修成本

它是如何工作的?
PECVD 工艺可降低对器件影响重大的衬底温度,而高温高压下的 SACVD 则可实现高沉积速率。PECVD 和 SACVD 具有比 PVD 技术更好的阶梯覆盖能力,主要用于沉积隔离和保护电气结构的关键绝缘介电层,例如氧化硅、氮化硅和低 K 层。

真空要求
除高密度等离子体沉积 (HDPCVD) 以外,大多数工艺都在 mbar 压力范围内的主真空下进行。 当化学反应在腔室内发生时,前体反应会形成副产物,由真空泵抽空。对于干泵,此类副产物通常是一个巨大的挑战,因为它们的性质可能会因所使用的前体类型而异:高腐蚀性、冷凝性或固体物质,某些应用甚至同时涉及上述全部性质的物质。

产品系列
普发真空提供全系列干式泵,以应对这些挑战:精巧的热管理可防止沉积、先进的材料可降低腐蚀速率、多级罗茨泵设计可管理粉末排空。

主要产品

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