ALD (Atomic Layer Deposition)

칩 노드 치수가 계속 축소되고 있어서 기존 증착 기술이 한계에 도달했습니다. 나노 스케일로 초박막 층을 증착하기 위해서는 한 번에 하나의 원자층을 재료에 증착할 수 있는 원자층 증착(ALD) 기술이 필요합니다.
이 기술은 다양한 산화물, 질소 및 금속을 증착하는 데 사용되며, 두께 적합성 및 균일성이 중요한 3D 아키텍처를 포함하여 가장 발전된 장치의 제조를 가능하게 합니다.

응용 분야 요구 사항

  • 1,800~4,500 m3/h의 높은 펌핑 용량
  • 시간이 지나면서 진공 성능이 안정되어 산출량 최적화
  • 고온 작동에 따른 응축 관리
  • 저온 작동에 따른 전구물 열 안정성
  • 고급 코팅 기술 적용에 따른 내부식성
  • 분말 처리 용량
  • 낮은 운영 비용으로 높은 공정 수명: 낮은 전력 소비량, 낮은 수리 비용

어떻게 작동합니까?
ALD 증착 주기는 원자로의 전구물 및 반응 물질의 연속 주입으로 구성됩니다. 화학 반응 에너지는 온도(열 ALD) 또는 플라즈마(PE ALD)에 의해 활성화됩니다. 각 펄스 사이에, 표면의 전구물 흡착으로 형성된 부산물과 반응하지 않은 전구물 및 반응 물질을 배기하기 위해 N2 퍼지가 주입됩니다. 반응은 자연스럽게 자체적으로 제한되기 때문에 막 두께는 수행된 증착 주기의 수에 의해서만 달라지며, 원자 규모에서 증착된 층을 제어할 수 있습니다. ALD 공정은 단일 웨이퍼 또는 배치 장비에서 수행될 수 있고, 이들 각각은 특정한 장점이 있습니다.

진공 요구 사항
대부분의 ALD 공정은 10-1~5 mbar 압력 범위의 기본 진공에서 작동됩니다. 부피가 큰 제조 장비에서는 높은 처리량을 보장하는 퍼지 단계가 진행되는 동안 전구물을 빨리 비워서 처리량을 늘리려면 1,800~4,500 m3/h 범위의 높은 펌핑 용량이 필요합니다. 소형 R&D 장비에서는 600~1,200 m3/h의 소형 건식 펌프를 사용할 수 있습니다. 생성된 부산물은 그 특성이 사용된 전구물의 유형에 따라 다를 수 있기 때문에 일반적으로 건식 펌프에 커다란 문제가 됩니다. 부식성이나 응축성이 높거나 고체인 일부 응용 분야에는 이러한 모든 것이 동시에 결합됩니다.

제품 포트폴리오
파이퍼 베큠은 이런 문제를 처리할 수 있도록 설계된 전체 범위의 건식 펌프인 A4 시리즈와 ADH 시리즈를 갖추고 있습니다. 정교한 열 관리가 증착을 방지하고, 고급 재료가 부식 속도를 늦추고, 다단계 루츠 설계가 분말 배기를 관리합니다.

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